欧洲2014年以成果低维光功能材料的控制合成与物化性能获国家自然科学奖二等奖(第一获奖人)。

使用金刚石对顶砧装置（DAC）将单壁和双壁CNT（左）压扁成为双层和四层GNR（右）（来源：负电NatureElectronics）研究人员还使用硝酸作为氧化剂选择性蚀刻被压扁的CNT的边缘，负电制备了边缘打开的GNR。先前研究显示，价研究由于量子限域效应和边缘效应宽度小于10nm的GNR全部为半导体性，特别是当GNR宽度低于5nm时其可具有较大的带隙。

欧洲硅基集成电路技术发展到摩尔定律的极限。负电该研究有利于促进碳材料在未来集成电路中的应用。价研究通过使用透射电子电镜（TEM）和扫描透射电子显微镜(STEM)研究人员可以清晰地区分CNT和被压扁的GNR。

闭合/开放边缘石墨烯纳米带的显微形貌理论研究表明，欧洲随着压力增加CNT的径向横截面会先从圆形变为椭圆形、欧洲然后变成花生形状并最终坍塌，发生坍塌所需要的压力取决于CNT直径。这种全新的方法可以制备窄至1.4nm的纳米带，负电并且可使样品中多至54%的单壁和双壁CNT被转变为GNR。

 加压和减压过程中样品的原位拉曼表征 （来源：价研究NatureElectronics）随着压力的增加，价研究116cm-1处来自直径约为2.1 nm CNT的径向呼吸峰（RBM峰）逐渐蓝移并且峰值强度降低（上图b，左），表明高压下CNT中发生了径向结构转变，从而改变了样品的亚带能隙。

为解决该问题,上海交通大学陈长鑫教授研究组与斯坦福大学HongjieDai教授、欧洲美国SLAC国家加速器实验室WendyL.Mao教授研究组等合作发展了一种通过联合高压和热处理将碳纳米管（CNT）压扁的方法以制备具有原子级光滑闭合边缘的亚10纳米宽的半导体性GNR。在商业面前，负电科技与创新，成为星港家居最闪光的标签。

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